氧化退火炉
主要应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，可用于2-8英寸工艺尺寸。
控制系统特点
- 工艺曲线的自动运行控制功能
- 可存储多组PID参数供系统运行调用功能
- 系统故障自诊功能
- 停电后断点继续运行功能等等
- 具有自主知识产权的软件系统,良好的人机界面
- 具有多点温度补偿
- 具有多种故障报警及各种安全互锁保护功能
★该系统可根据用户的特殊要求增减或开发相应的功能
主要技术指标
◎ 晶圆尺寸：2~8英寸
◎ 工艺管数：1~4管/台
◎ 工作温度范围：200℃~1280℃
◎ 恒温区长度：300~1500mm
◎ 单点温度稳定性：+0.5℃/24h
◎ 最大可控升温速度：15℃/min
◎ 最大降温速度：5℃/min
★可为用户量身定制非标准产品
