LPCVD
LPCVD设备用于淀积Poly-Si、SIPOS、SiO2(LTOTEOS)、P*Poly-Si、N*Poly-Si、Si3N4 、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜。
广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
广泛应用于半导体集成电路、电力电子、光电子及MEMS等行业的生产工艺中。
设备主要特点
- 对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制
- 采用先进的闭环控制系统，压力稳定无波动
- 采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门，确保气路气密性
- 具有完善的报警功能及安全互锁装置
- 具有良好的人机界面，灵活的工艺性能
主要技术指标
- 适用硅片尺寸：4~6"
- 工作温度范围：350℃~850℃
- 恒温长度：300-1100mm(可定制)
- 系统极限真空度：10mtorr
- 工作压力范围：100~300mtorr可调
- 可配工艺管数量：1~4管/台
工艺指标
- 片内 ＜3%
- 片间 ＜3%
- 批间 ＜3%
